IGBT的表面处理方式通常是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的表面处理方式在这种表面处理方式中，IGBT晶体管表面会被涂上一层氧化层，以防止电流向外流动，并保护晶体管的结构此外，IGBT还可以通过一些化学处理方法来；解决这些难题不仅需要成熟的工艺技术，更需要先进的工艺设备，这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题从80年代初到现在IGBT芯片体内结构设计有非穿通型NPT穿通型PT和弱穿通型LPT等类型，在改善IGBT的。

虽然国外的IGBT产业取得了很大进展，但令人叹惋的是，我们国家目前并未形成自己的IGBT产业，目前我们使用的IGBT管子全部是进口购买的我国只能进口国外IGBT芯片，自己进行少量封装因此对于我们这样一个拥有13亿人口的大国，像IGBT；p是指低掺杂浓度，p+是指高掺杂浓度，相应的n也是一样的。

技术高出很多较低的压降，转换成一个低VCEsat的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路IGBT硅片的结构与功率MOSFET；1IGBT开关的基础知识 IGBT IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅极型功率管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件 应用于交流电机变频器开关电源照明电路牵引传。

由于IGBT晶圆原材料厚度较厚，只适用于生产高压IGBT芯片，对于中低压IGBT芯片，需要使用减薄工艺对IGBT晶圆进行减薄减薄工艺是使用带有一定大小颗粒的研磨轮对晶圆进行研磨，研磨后会在晶圆表面产生凹凸不平的研磨纹，晶圆表层；80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS双扩散形成的金属氧化物半导体工艺被采用到IGBT中来2在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT非穿通型设计后来，通过采用PT穿通型结构的方法得到了在参数折衷。

比亚迪相关技术人员曾表示，IGBT芯片仅人的指甲大小，却要蚀刻十几万甚至几十万的微观结构电路，并只能在显微镜下查看最后是IGBT模块设计与封装环节，不仅需要考虑材料匹配散热结构功率密度重量等诸多指标，车规级IGBT。

igbt芯片表面结构介绍图片

1、一个IGBT芯片分为正面有引线引出，对应E极和反面焊在铜基板上的那面，对应C极，上管的E连接下管的C，上管的C连接正母线端子，下管的E连接负母线端子，按此原则区分上下管。

2、SOC是系统级芯片，它有内置的RAM和ROM，就像MCU一样强大，它不仅可以放简单的代码，还可以放系统级的代码，也就是说，它可以运行操作系统可以认为MCU集成和MPU强大的处理能力是二合一的IGBTInsulated Gate Bipolar。

3、6个在电机控制器中 IGBT 应用位置可以参见电机控制器驱动设计简介1 ，其中主回路部分由 6 个IGBT组成的三相全桥电路将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块，其功率更大散热能力更强，在新能源汽车领域发挥着。

4、igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通智能电网航空航天电动汽车与新能源装备等领域应用极广igbt模块是由igbt绝缘栅双极型晶体管芯片与FWD续流二极管。