K，GaN是大概4次好 GaN的热膨胀系数是 a轴为559x106K c轴为317x106K。

在选择SiC碳化硅和GaN氮化镓，这两种新型功率半导体材料时，需要考虑以下几个主要方面1 应用环境如果所应用系统需要在超过200KHz以上的频率工作，首选GaN晶体管，次选SiC MOSFET若工作频率低于200KHz，两者都可以。

目前国内已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，据中信证券的研报表示，2025年全球GaN快充市场规模有望达到600多亿元，同时加速GaN芯片在其他新兴领域对Si基产品的替代虽然氮化镓增长最快的要数快充市场。

l确切的说是GaNled芯片采取蓝宝石或者sic，这是因为GaN没有体块材料，无法同质外延只能采取异质外延的方法生长蓝宝石的话价格低廉，外延技术成熟而SiC由于其和GaN晶格失配小，热导率高，非常适宜高功率led制备。