IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor是一种功率半导体器件，结合了MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管和双极型晶体管的特性IGBT在控制能力上接近MOSFET，在开关能力上接近双极型晶体管，因此具有较低的开关损耗和较高。

SOC是系统级芯片，它有内置的RAM和ROM，就像MCU一样强大，它不仅可以放简单的代码，还可以放系统级的代码，也就是说，它可以运行操作系统可以认为MCU集成和MPU强大的处理能力是二合一的IGBTInsulated Gate Bipolar。