外延片就是一整片的很大，可以切割做成N多LED芯片LED芯片就是外延片中切割的一部分；其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极P极，N极，接着就开始用激光机切割LED外延片以前切割LED外延片主要用钻石刀，制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试 1 主要对电压波长亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步；LED外延片生长的基本原理是在一块加 LED外延片热至适当温度的衬底基片主要有蓝宝石和SiCSi上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法外延片做好后，中游芯片厂家就会拿来长电极，然后切割，测试 下游封装厂就拿；1外延片外延片的目的是在外延上加上电极，便于对产品进行封存和包装2芯片芯片的目的是将电能转化成光能，供照明使用三用途不同 1外延片外延片是LED芯片的中段制程和后段制程的必需品，没有它就无法做出高亮度的半导体2芯片芯片是制作LED灯具LED屏幕LED背光的主要物料。

两者的区别在于1外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，以GaN为例，在蓝宝石三氧化二铝上生长一层结构复杂的GaN薄膜，这层薄膜就叫做外延2而芯片指的是把外延进行加工，其主要目的是在外延上加上电极，以便与封装和应用芯片的主要材料为单晶硅不正确，仍为GaN材料可；LED外延片LED Epitaxial Wafer是在单晶衬底上通过外延生长技术生长出来的半导体材料，这种材料在制造LED发光二极管中起到关键作用LED外延片通常包括一个或多个不同类型的半导体层，例如一个N型半导体层和一个P型半导体层当这两层接触时，会形成一个PN结，这就是LED的核心部分在PN结中，正向；LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片主要有蓝宝石和SiCSi上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附。

LED芯片的外延生长通常采用的方法主要有金属有机化学气相沉积MOCVD分子束外延MBE和液相外延LPE这些方法均可在适当的衬底上生长出高质量的半导体薄膜1 MOCVD 这是目前生产LED芯片最常用的方法在此过程中，金属有机化合物和氢气在高温下反应生成半导体材料并沉积在衬底上这个过程需要一个。

1LED芯片检验 镜检材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小约 01mm，不利于后工序的操作我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约06mm也可以采用手工扩张，但；LED外延片指的是制造LED芯片的材料，它是一种超薄晶体片，长约1020厘米，宽约510厘米，厚度仅有几毫米LED芯片制造的关键在于其外延片，长得像玻璃片，但是是由外延法生长的半导体晶片这种晶片的纯度非常高，可以制成无辐射无污染的高亮度LED，广泛应用于照明显示和光电领域LED外延片有较高。